CKD Technologyk makina berriak ez ditu soilik stockean, berehala eskuragarri.
Alokairu negozio zehatza ere badugu, zure produkzio-eskakizun zehatzak betetzeko prest zure hasierako inbertsioa nabarmen murrizten duen bitartean. Jarri gurekin harremanetan xehetasun gehiago lortzeko.
CKD-k ingeniari profesionalen talde bat du, giltza eskuan zerbitzua emateko prest.
Erabilitako makinen salmentarako, jar zaitez gurekin harremanetan whatspp edo posta elektroniko bidez.
---------------------------------------------------------------------------------------
MYS10 seriea lineako plasma prozesatzeko sistema guztiz automatizatua da, erdieroaleak, elektronika, SMT, optoelektronika eta teknologia medikoetako aplikazioetarako garatutakoa.
• Presio atmosferikoko argon plasma sistema
• 100 mm-ko zabalera lerroko loteen plasma prozesatzea; 2-5 aldiz eraginkortasun handiagoa eta % 30 baino gehiago funtzionamendu kostu txikiagoak eskaintzen ditu metodo tradizionalekin alderatuta
• 100% plasma neutroa; osagai elektroniko sentikorretan segurua eta leuna: plasmako bonbardaketarik, elektrizitate estatikorik, txinpartak, arkuak, hautsa, bero handia, gainazaleko uhinak edo UV erradiazioa ez du sortzen, produktuei kalterik gabekoa bermatuz.
• Plasma-plataforma trinkoa, malgutasun eta bateragarritasun handia eskaintzen duena
• Prozesu kimiko anitzekoak: kutsatzaile organikoak kentzeko O2 prozesua; Metal oxidoak kentzeko eta produktuen gainazalak aktibatzeko H2 prozesua
• Ez da kutsatzaile partikularik edo likidorik sortu
| Oinarrizko Zehaztapenak | MYS10 |
| Potentzia-eskakizunak | 200–240 V CA, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Airearen presioaren eskakizunak | 90 psi (6 bar) |
| Neurriak | 790 x 1200 x 1880 mm |
| Pisua | 800 kg |
| Ziurtagiri-arauak | CE, SEMI S2 |
| Kokapen-zehaztasuna | XY: ±30 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| XYZ Ardatzaren Errepikagarritasuna | XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Gehienezko Abiadura | 1000 mm/s (XY) |
| Azelerazioa | 1,0 g |
| Drive Sistema | AC serboa |
| Lan-plataformaren zehaztapenak | |
| Pista mota | Gerrikoa |
| Trenaren karga-gaitasuna | 3 kg |
| Substratuaren lodiera tartea (eramailerik gabe) | 0,5-6 mm |
| Z ardatzaren bidaia | 100 mm |
| Max. osagaien altuera (goiko aldea) | 26 mm |
| Max. osagaien altuera (beheko aldea) | 23 mm |
| Komunikazio-protokoloa | SMEMA |
| Lan eremua | |
| Plasma tratatzeko eremua (W×D) | 350–475 mm |
| Uraren kontaktu-angelua (WCA) plasma tratamenduaren ondoren | WCA < 10° (siliziozko oblea) WCA < 20° (ez-metalikoa) |
| Plasma tratatzeko metodoa | Kutsatzaile organikoak kentzeko O2 prozesua Metal oxidoa kentzeko H2 prozesua |
| Plasma-sistemaren baldintzak | |
| RF Potentzia | 600W 27,12MHz-tan |
| Plasma Gas Nagusia | Argona |
| Prozesuko Gasa | O2, N2 edo H2 |
| Gas-hornikuntzaren presio-tartea | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Helbidea
5. solairua, 2. eraikina, 182. zenbakia, Chang'an Xi'an errepidea, Chang'an herria, Dongguan, Guangdong probintzia, Txina.
Tel
Posta elektronikoa
